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1纳米以下制程重大突破!关键词:二维质料、台积电、麻省理工

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发表于 2021-5-14 19:24:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

据我国台湾媒体5月14日报道,台大与台积电、美国麻省理工学院互助研究发现二维材料联合半金属铋能达极低电阻,接近量子极限,有助实现半导体达1纳米以下制程挑衅,已发表于国际期刊「天然」(Nature)。

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现在半导体主流制程进展到5纳米和3纳米,晶片单位面积能容纳的电晶体数目,已将逼近半导体主流材料「硅」的物理极限,比年科学界积极寻找能代替硅的二维材料,挑衅1纳米以下的制程,却苦于无法解决二维材料高电阻及低电流等问题。

台大今天发出消息稿,由电机系暨光电所传授吴志毅等人,与台湾积体电路、美国麻省理工学院等单位互助的研究,可望挑衅物理极限,有助实现半导体1纳米以下的艰巨挑衅。

这项研究先由麻省理工团队发现在二维材料上搭配半金属铋(Bi)的电极,能大幅降低电阻并提高传输电流。随后由台积电技术研究部门将铋沉积制程优化,台大团队则运用氦离子束微影体系(Helium-ion beamlithography)将元件通道成功缩小到纳米尺寸,共同获得突破性的研究结果。

吴志毅表明,利用铋为打仗电极的关键布局后,二维材料电晶体的效能不但与硅基半导体相当,又有潜力与现在主流的硅基制程技术相容。虽然现在还处于研究阶段,但此结果能替下一代晶片提供省电、高速等绝佳条件,可望投入人工智慧、电动车、疾病预测等新兴科技的应用中。


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发表于 2021-5-14 19:45:14 | 显示全部楼层
中国的碳纳米管吊打一切!
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发表于 2021-5-14 20:06:50 | 显示全部楼层
还是晚19:00的新闻看的人舒服、亢奋
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发表于 2021-5-14 20:26:40 | 显示全部楼层
我们还在努力7纳米,需要加油啊
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发表于 2021-5-14 20:36:36 | 显示全部楼层
来比房地产开发
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发表于 2021-5-14 20:52:31 | 显示全部楼层
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